Що означає таймінги оперативної пам'яті. Як дізнатися таймінг оперативної пам'яті ⇡ Умови тестування

Багато хто помилково вважає, що встановити оперативну пам'ять простіше простого, налаштовувати її нібито не потрібно, а розганяти взагалі немає сенсу. Насправді все набагато складніше і зараз я у формі запитань і відповідей розповім, як вичавити максимум продуктивності з оперативної пам'яті.

Редакція дякує компанії та , що люб'язно надали комплекти пам'яті та материнські плати для тестування.

Чи можна поєднуватися пам'ять різних моделей, брендів та частот?

Теоретично для ПК можна використовувати кілька модулів оперативної пам'яті не тільки від різних виробників, але і з різною частотою. У такому разі вся пам'ять працюватиме на частоті найповільнішого модуля. Але на практиці можуть виникнути конфлікти несумісності: ПК може взагалі не запускатися, або ж можуть траплятися періодичні збої ОС. Тому оперативність краще відразу купувати набором з двох або чотирьох модулів, особливо якщо плануєте зайнятися розгоном. У модулях з одного комплекту застосовуються чіпи з однієї партії, що мають ідентичний розгінний потенціал.

Наскільки корисним є багатоканальний режим роботи пам'яті?

Всі сучасні процесорні платформи Intel і для настільних ПК підтримують як мінімум двоканальний режим роботи пам'яті. У свою чергу процесори Intel Core i7 Gulftown та Intel Xeon Nehalem та Westmere підтримують триканальний режим, а AMD Opteron серії 6000, Intel Core i7 LGA 2011 та Xeon E5 та E7 – взагалі чотириканальний (вісім слотів пам'яті).

Процесор двоканальний режим пам'яті додає від 5 до 10 відсотків продуктивності, тоді як інтегрованого графічного прискорювача - до 50 відсотків. Саме тому при складанні на процесорі AMD A8-7600 з вбудованою графікою Radeon R7 ми суворо рекомендуємо використовувати два модулі пам'яті.

За наявності лише двох модулів пам'яті та материнської плати з чотирма слотами DIMM важливо не помилитись з черговістю установки. Так, щоб задіяти двоканальний режим, модулі потрібно зупиняти в роз'єм через один, тобто перший і третій, або другий і четвертий. Більш універсальним є, мабуть, другий варіант, тому що перший слот може перекриватися великим процесорним кулером, як . Втім, для пам'яті та з низькопрофільними радіаторами це не є проблемою.

Перевірити, чи справді пам'ять запрацювала у двоканальному режимі, можна за допомогою програми AIDA64 (пункт меню "Тест кешу та пам'яті"). Ця програма допоможе виміряти швидкодію пам'яті до і після розгону.

Як налаштувати частоту та таймінги пам'яті?

Відразу після установки оперативка часто працює на мінімальній частоті, або на частоті, яку офіційно підтримує процесор. Наприклад, 2400-МГц HyperX Savage на процесорі Intel Core i3-4130 за замовчуванням заробила на частоті лише 1600 МГц. Виставити максимальну частоту пам'яті можна в налаштуваннях BIOS материнської плати: або вручну, або за допомогою технології Intel XMP (підтримується навіть материнками AMD).

Якщо вибрати вручну 2400 МГц, то пам'ять працюватиме за стандартних для цієї частоти таймінгів (затримок) 11-14-14-33. Але на практиці HyperX Savage може стабільно працювати на тій самій частоті при менших таймінгах. Адже саме співвідношення високої частоти та низьких таймінгів гарантує високу швидкодію пам'яті.

Щоб не довелося вибирати значення кожного таймінгу вручну, компанія Intel розробила технологію під назвою Extreme Memory Profile. Вона дозволяє буквально в два кліки вибрати оптимальний профіль роботи пам'яті, заздалегідь приготований виробником. Так, наша версія HyperX Savage підтримує два XMP-профілі: 2400 МГц 11-13-14-32 та 2133 МГц 11-13-13-30. Перший актуальний, наприклад, для материнської плати за допомогою розгону пам'яті до 3300 МГц, а другий – для материнки, у якій частота оперативної пам'яті обмежена 2133 МГц.

Як розігнати пам'ять?

Розгін чогось (процесора, відеокарти, пам'яті) це завжди лотерея: один екземпляр може розганятися добре, другий такий самий - погано. Боятися, що пам'ять під час розгону вийде з ладу, не варто: якщо ви встановите занадто високу частоту, вона просто не запуститься.

Якщо у материнської плати немає функції автоматичного відкату налаштувань розгону після кількох невдалих спроб запуску ПК, можна скинути налаштування вручну за допомогою перемички Clear CMOS (інша назва JBAT).

У разі оперативної пам'яті підбирати експериментальним методом доведеться не лише частоту та напругу живлення, а й таймінги. Причому не факт, що вдасться підібрати співвідношення краще, ніж те, що передбачено максимальним XMP-профілем. У випадку з HyperX Savage саме це і сталося: розігнати пам'ять вдалося до частоти 2600 МГц, але таймінги довелося підвищити до 12-14-15-33.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Вимірювання швидкодії пам'яті вищезгаданою програмою AIDA64 Cache & Memory Benchmark до та після розгону показало падіння швидкості в середньому на 14 відсотків. Отже розгін пам'яті на 200 МГц вище номіналу виявився ефектним теоретично, але марним практично. Але це у разі топової 2400-МГц версії HyperX Savage, а у більш низькочастотної версії, наприклад 1600-МГц, потенціал для ручного розгону набагато кращий.

Висновки

Як бачите, правильно встановити та налаштувати оперативну пам'ять не так і складно, особливо якщо вона підтримує готові XMP-профілі. Якщо купувати пам'ять комплектом, можна отримати приріст швидкодії як від двоканального режиму, а й від вдалого розгону. А щоб не було несумісності з великими процесорними кулерами, краще вибрати низькопрофільну оперативну пам'ять, особливо якщо плануєте використовувати найближчий до процесора слот пам'яті.

Вітаю, дорогі друзі. З вами Артем.

Що таке таймінг оперативної пам'яті? Ось про це і сьогодні й поговоримо.

Відео версія статті:

Таймінги, як і інша корисна інформація, маркується на корпусі планки оперативної пам'яті.

Таймінги складаються із групи цифр.

На деяких планках таймінги вказані повністю, а на інших вказується лише CLзатримки.

Вказівка ​​тільки CL, а в даному випадку CL9

Що таке CL таймінгви дізнаєтесь під час статті.

В цьому випадку повний список таймінгів можна дізнатися на сайті виробника планки, за номером моделі.

Будь-яка оперативна пам'ять DDR (1,2,3,4) має однакові принципи роботи.

Пам'ять має певну частоту роботи в МГц та таймінги.

Чим таймінги менше, тим швидше процесор може отримати доступ до осередків пам'яті на мікросхемах.

Відповідно виходять менше затримок під час зчитування та запису інформації в оперативну пам'ять.

Найбільшого поширення набув тип пам'яті DDR SDRAMщо має ряд особливостей.

Частоти:

З контролером пам'яті вона (пам'ять) спілкується на частоті в половину меншою, ніж та, яка вказана на маркуванні плашки оперативної пам'яті.

Наприклад, DDR3, що працює на частоті 1866 МГц у діагностичних програмах, наприклад, CPU-Z буде відображена як 933 МГц.

Так що на корпусі планки оперативної пам'яті вказується ефективна частота роботи пам'яті, тоді як насправді частоти роботи вдвічі нижчі.

Лінії адреси, даних та управління передаються по одній шині в обидва боки, що дозволяє говорити про ефективну частоту роботи оперативної пам'яті.

Дані передаються по 2 біти однією синхроимпульс, як у фронту, і по спаду тактового імпульсу, як і подвоює ефективну частоту роботу пам'яті.

P. S. Частота оперативної пам'яті складається з коефіцієнта множення (множника) частоту системної шини.

Наприклад, частота системної шини процесора 200 МГц (будь-який Pentium 4), а множник=2, то результуюча частота пам'яті буде 400 МГц (800 МГц ефективна).

Це означає, що з розгону оперативної пам'яті, треба розігнати процесор по шині (чи вибрати потрібний множник пам'яті).

P.S.Всі маніпуляції за частотами, таймінгами та напругами виробляються в BIOS (UEFI) материнської плати.

Таймінги:

Модулі пам'яті, що працюють на одній і тій же частоті, але різні таймінги в тозі можуть мати різну підсумкову швидкість роботи.

Таймінги вказують на кількість тактових імпульсів для виконання мікросхемою пам'яті тієї чи іншої операції. Наприклад, пошуку певної комірки та запису до неї інформації.

Сама тактова частота визначає з якою швидкістю в Мегабайтах в секунду будуть йти операції читання/запису, коли чіп вже готовий виконати команду.

Таймінги позначаються цифрами, наприклад, 10-11-10-30 .

DDR3 1866 МГц 9-9-9-10-28 буде швидше ніж DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Якщо звернутися до базової структури осередку пам'яті, то вийде така таблична структура.

Тобто структура рядків та стовпців, за номером яких можна звернутися до того чи іншого байта пам'яті, для читання чи запису даних.

Що конкретно позначають цифри таймінгів?

Звернемося наприклад, вищеDDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Цифри по порядку:

10 – цеCAS Latency (CL)

Одна з найважливіших затримок (таймінгів). Від нього більшою мірою залежатиме швидкість роботи оперативної пам'яті.

Чим менша перша цифра з таймінгів, тим швидше.

CL вказує на кількість тактових циклів, необхідних для видачі даних, що запитуються.

На малюнку нижче ви бачите приклад з CL=3 і CL=5 .

В результаті пам'ять з CL=3 на 40% швидше видає запитані дані. Можна навіть порахувати затримку нс (наносекунда = 0,000000001 з).

Щоб обчислити період тактового імпульсу для оперативної пам'яті DDR3 1866 МГц, необхідно взяти її реальну частоту (933 МГц) і користуватися формулою:

T = 1/f

1/933 = 0,0010718113612004 секунди ≈ 1,07 нс.

1,07 * 10 (CL) = 10,7 нс. Таким чином, для CL10 оперативна пам'ять затримає видачу даних на 10,7 наносекунди.

P. S. Якщо наступні дані розташовуються за адресою наступного за поточною адресою, то дані не затримуються на час CL, видаються відразу ж за першими.

11 – цеRAS to CAS Delay (tRCD)

Сам процес доступу до пам'яті зводиться до активації рядка, потім стовпця з потрібними даними. Цей процес має два опорні сигнали – RAS (Row Address Strobe) та CAS (Column Address Strobe).

Також величина цієї затримки ( tRCD) є числом тактів між включенням команди «Активувати (Active)» та командою Читання або Запис.

Що менше затримка між першим і другим, то швидше відбувається кінцевий процес.

10 – цеRAS Precharge (tRP)

Після того, як дані отримані з пам'яті, потрібно надіслати спеціальну команду Precharge, щоб закрити рядок пам'яті з якого зчитувалися дані та дозволити активацію іншого рядка з даними. tRPчас між запуском команди Prechargeта моментом, коли пам'ять може прийняти наступну команду « Active» . Нагадаю, що команда « Active» запускає цикл читання чи запису даних.

Що менше ця затримка, то швидше запускається цикл читання чи запису даних, через команду « Active» .

P. S. Час, який минає з моменту запуску команди « Precharge» , до отримання даних процесором складається із суми tRP + tRCD + CL

30 – цеCycle Time (tRAS) Active to Precharge Delay.

Якщо на згадку вже надійшла команда « Active» (і в кінцевому підсумку процес читання або запису з конкретного рядка та конкретного осередку), то наступна команда « Precharge» (яка закриває поточний рядок пам'яті, для переходу до іншого) буде надіслана, тільки через цю кількість тактів.

Тобто це час, після якого пам'ять може почати запис або читання даних з іншого рядка (коли попередня операція вже була завершена).

Є ще один параметр, який за промовчанням ніколи не змінюється. Хіба що при дуже великому розгоні пам'яті для більшої стабільності її роботи.

Command Rate (CR, абоCMD) , за замовчуванням має значення 1 T– один такт, друге значення 2 T- Два такти.

Це час між активацією конкретного чіпа пам'яті на планці оперативної пам'яті. Для більшої стабільності при високому розгоні часто виставляється 2 Tщо дещо знижує загальну продуктивність. Особливо якщо плашок пам'яті багато, як і чіпів на них.

У цій статті я постарався пояснити все більш-менш доступним. Якщо, що, завжди можна перечитати заново:)

Якщо вам сподобався відео ролик та стаття, то поділіться ними з друзями у соціальних мережах.

Чим більше у мене читачів та глядачів, тим більше мотивації створювати новий та цікавий контент:)

Також не забувайте вступати до групи Вконтакте та підписуватись на YouTube канал.

Оперативна пам'ять сучасного комп'ютера є пам'яттю динамічного характеру (Dynamic RAM або DRAM), основною відмінністю від постійної пам'яті (Read Only Memory або ROM) є необхідність безперервної подачі живлення для зберігання інформації. Тобто осередки оперативної пам'яті при відповідній необхідності містять дані до тих пір, поки на них подається електричний струм, тоді як постійної пам'яті (наприклад, флеш-карті) живлення необхідно лише для зчитування, стирання або записування інформації. Мікросхеми містять осередки пам'яті, що являють собою конденсатори, що заряджаються при необхідності внесення про запис логічної одиниці, і розряджаються при внесенні запису про логічний нуль.

Загальний зміст роботи динамічної пам'яті можна спрощено описати так: осередки організовані у формі двомірних матриць, доступ до однієї з них здійснюється через вказівку адреси відповідного стовпця та рядка. Вибір стробуючого імпульсу доступу до рядка RAS (Row Access Strobe) та стробуючого імпульсу доступу до стовпця CAS (Acess Strobe) здійснюється зміною рівня напруги з високого на низький. Такі синхронізовані з тактуючим імпульсом сигнали для активації подаються по черзі рядок (RAS), після чого стовпець (CAS). Коли відбувається запис інформації, подається ще й додатковий імпульс допуску до запису WE (Write Enable), який також змінює напругу від високого на низький.

Найбільш важливою характеристикою пам'яті, яка першочерговим чином впливає на продуктивність, є пропускна здатність, яку виражають як добуток обсягу даних, що передаються за кожен такт на частоту системної шини. Наприклад, оперативна пам'ять має ширину шини вісім байт, а тактова частота становить триста тридцять три мегагерці, тоді пропускна здатність становитиме дві тисячі сімсот мегабайт на секунду. Більш сучасні схеми оперативної пам'яті мають двох-, трьох-і більше каналів для підключення, відповідно їхня пропускна здатність подвоюється, потроюється і так далі. Тим часом показник частоти роботи оперативної пам'яті та її теоретична пропускна здатність далеко не єдині параметрами, які відповідають за продуктивність. Не менш істотну роль грає таймінг, а вірніше таймінги, що виражаються в кількості тактів, які пройшли між віддачею будь-якої команди та її дійсним виконанням. Тобто таймінг, ще званий латентністю пам'яті, є величина затримки від вступу до виконання команди, що виражається в тактах.

Є чотири основні показові таймінги, які можна побачити в описах модулів оперативної пам'яті:

TRCD (time of RAS to CAS Delay), таймінг, що безпосередньо характеризує затримку від імпульсу RAS до CAS імпульсу;

TCL (time of CAS Latency), таймінг, що характеризує затримку після подачі команди про запис (читання) до імпульсу CAS;

TRP (time of Row Precharge), таймінг, що характеризує затримку після завершення обробки одного рядка до переходу до наступного рядка;

TRAS (time of Active to Precharge Delay), таймінг, що характеризує затримку від активації рядка до закінчення з цим рядком (подачі команди Precharge). Це значення вважають одним із основних;

Іноді ще вказують Command rate, таймінг, що характеризує затримку від команди на вибір певного чіпа на модулі до команди активації рядка.

Для наочності та стислості таймінги записують у вигляді цифр через дефіс, послідовність згідно з описом, наприклад, 6-6-6-18-24. Таким чином, менша величина кожного таймінгу, навіть якщо пам'ять працює з нижчою тактовою частотою, означає швидшу роботу пам'яті.

таймінги. Який краще таймінг оперативної пам'яті 9-9-9-24 чи 9-9-9-27? p\s можна докладно розповісти про Таймінги

1. Таймінг оперативної пам'яті – це час її відгуку, що нижче – тим краще.
2. тут все просто - чим вище цифра тим гірше, але тут все залежить від шини
   якщо 9-9-9-24 це 1600 шина, а 9-9-9-27 1866 то вони однакові 🙂
3. який таймінг найкраще для озу 800мгц? 6 або 6-6-6-18
4. Інша назва цього терміну - латентність, CAS Latency (CAS Latency = CL), тобто тимчасова затримка сигналу. Зазвичай ці тимчасові затримки так і називають таймінги і для стислості записують у вигляді: 2-2-2 (наприклад). Це записані наступні параметри: CAS Latency, RAS to CAS Delay і RAS Precharge Time. Вони можуть набувати значення від 2 (лінійка модулів пам'яті Kingston HyperX, OCZ) до 9. Від них значною мірою залежить пропускна здатність ділянки процесор-пам'ять і, як наслідок, швидкодія основних компонентів системи.

   Приклад із практики: система з пам'яттю на частоті 100 МГц з таймінгами 2-2-2 має приблизно таку ж продуктивність, як та ж система на частоті 112 МГц, але із затримками 3-3-3. Іншими словами, залежно від затримок, різниця у продуктивності може досягати 10%.

   Міра таймінгу такт. Таким чином, кожна цифра у формулі 2-2-2 означає затримку сигналу для обробки, яка вимірюється в тактах системної шини. Якщо вказується лише одна цифра (наприклад, CL2), мається на увазі лише перший параметр, тобто CAS Latency. Інші при цьому не обов'язково рівні йому! Практика показує, що зазвичай інші параметри вищі, а значить і пам'ять менш продуктивна (тобто це маркетинговий хід, у специфікації вказати один таймінг, який не дає уявлення про затримки пам'яті при виконанні інших операцій).

   Іноді формула таймінгів для пам'яті може складатися з чотирьох цифр, наприклад, 2-2-2-6. Останній параметр називається DRAM Cycle Time Tras/Trc і характеризує швидкодію всієї мікросхеми пам'яті. Він визначає відношення інтервалу, протягом якого рядок відкритий для перенесення даних (tRAS RAS# Active time), до періоду, протягом якого завершується повний цикл відкриття та оновлення ряду (tRC Row Cycle time), також званого циклом банку (Bank Cycle Time) .

   Виробники зазвичай постачають свої чіпи, на основі яких побудована планка пам'яті, інформацією про рекомендовані значення таймінгів, для найбільш поширених частот системної шини. Переглянути цю інформацію можна, наприклад, програмою CPU-Z.

   З погляду користувача, інформація про таймінги дозволяє приблизно оцінити продуктивність оперативної пам'яті, до покупки. Таймінг пам'яті покоління DDR надавалося велике значення, оскільки кеш процесора був відносно малий і програми часто зверталися до пам'яті. Таймінгам пам'яті покоління DDR3 приділяється набагато менше уваги, оскільки сучасні процесори (наприклад Intel Core DUO та Intel I5, I7) мають відносно великі L2 кеші та забезпечені (знову ж таки відносно) величезним L3 кеш, що дозволяє цим процесорам набагато рідше звертатися до пам'яті, а у деяких випадках програма повністю міститься в кеш процесора. Ім'я параметра Позначення Визначення
   CAS-латентністьCL Затримка між надсиланням у пам'ять адреси стовпця та початком передачі даних. Час, необхідний для читання першого біта з пам'яті, коли потрібний рядок вже відкритий.
   Row Address to Column Address DelayTRCDЧисло тактів між відкриттям рядка та доступом до стовпців у ньому. Час, необхідний для читання першого біта з пам'яті без активного рядка TRCD + CL.
   Row Precharge TimeTRP Число тактів між командою на попередній заряд банку (закриття рядка) та відкриттям наступного рядка. Час, необхідний для читання першого біта з пам'яті, коли активна інший рядок TRP + TRCD + CL.
   Row Active TimeTRAS Число тактів між командою на відкриття банку та командою на попередній заряд. Час оновлення рядка. Накладається на TRCD. Зазвичай приблизно дорівнює сумі трьох попередніх чисел.

За промовчанням всі характеристики оперативної пам'яті комп'ютера визначаються БІОС та Windows повністю автоматично залежно від конфігурації обладнання. Але при бажанні, наприклад, спробі розігнати RAM, можна зробити регулювання параметрів самостійно в налаштуваннях BIOS. На жаль, зробити це можна не на всіх материнських платах, на деяких старих та простих моделях такий процес неможливий.

Змінювати можна основні характеристики оперативної пам'яті, тобто тактову частоту, таймінги та напругу. Усі ці показники взаємопов'язані. І тому до налаштування оперативної пам'яті в БІГЗ потрібно підходити теоретично підготовленим.

Спосіб 1: Award BIOS

Якщо на вашій системній платі встановлено прошивку від Phoenix/Award, то алгоритм дій буде виглядати приблизно так, як зазначено нижче. Пам'ятайте, що назви параметрів можуть бути незначними.

1. Робимо перезавантаження ПК. Входимо в БІОС за допомогою сервісної клавіші або клавіш. Вони бувають різні залежно від моделі та версії «заліза»: Del, Esc, F2і так далі.
2. Натискаємо комбінацію Ctrl+F1для входу в розширені налаштування. На сторінці, що відкрилася, стрілками переходимо в пункт "MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)"та натискаємо Enter.



3. У наступному меню знаходимо параметр "System Memory Multiplier". Змінюючи його множник, можна зменшувати або збільшувати частоту роботи оперативної пам'яті. Вибираємо трохи більше чинної.



4. Можна обережно збільшити напругу струму, що подається на RAM, але не більше ніж 0,15 вольта.



5. Повертаємось на головну сторінку БІОС та вибираємо параметр "Advanced Chipset Features".



6. Тут можна настроїти таймінги, тобто час відгуку пристрою. В ідеалі, що менше цей показник, то швидше функціонує оперативна пам'ять ПК. Спочатку змінюємо значення "DRAM Timing Selectable"з "Auto"на "Manual", тобто режим ручного регулювання. Потім можна поекспериментувати зменшуючи таймінги, але не більше, ніж на одиницю одноразово.



7. Налаштування закінчено. Виходимо з BIOS із збереженням змін і запускаємо будь-який спеціальний тест для перевірки стабільності роботи системи та RAM, наприклад, у AIDA64.



8. При незадоволеності результатами налаштування RAM повторіть за вказаним вище алгоритмом.

Спосіб 2: AMI BIOS

Якщо БІОС на комп'ютері від American Megatrends, то кардинально значних відмінностей від Award не буде. Але про всяк випадок коротко розглянемо цей випадок.

Спосіб 3: UEFI BIOS

На більшості сучасних материнських плат стоїть UEFI BIOS із гарним та зручним інтерфейсом, підтримкою російської мови та комп'ютерної миші. Можливості з налаштування RAM у такому прошивці дуже широкі. Розглянемо їх докладно.

1. Заходимо в Біос, натиснувши Delабо F2. Рідше зустрічаються інші сервісні клавіші, дізнатися їх можна в документації або підказки внизу екрана. Далі переходимо в "Advanced Mode", натиснувши F7.



2. На сторінці розширених налаштувань переходимо на вкладку "Ai Tweaker", знаходимо параметр "Memory Frequency"і у випадаючому вікні вибираємо бажану тактову частоту оперативної пам'яті.



3. Просуваючись нижче по меню, бачимо рядок "DRAM Timing Control"і натиснувши її, потрапляємо у розділ регулювання різних таймінгів RAM. За замовчуванням у всіх полях варто "Auto", але при бажанні можна спробувати поставити значення часу відгуку.



4. Повертаємось у меню "Ai Tweaker"і заходимо в "DRAM Driving Control". Тут можна спробувати збільшити множники частоти RAM і прискорити її роботу. Але робити це треба усвідомлено та обережно.



5. Знову повертаємось на минулу вкладку і далі спостерігаємо параметр "DRAM Voltage", де можна змінювати напругу електричного струму, що подається на модулі оперативної пам'яті. Підвищувати вольтаж можна на мінімальні значення та поетапно.



6. Потім виходимо у вікно розширених налаштувань і пересуваємось у вкладку "Advanced". Там відвідуємо "North Bridge"сторінку північного мосту материнської плати.



7. Тут нас цікавить рядок "Memory Configuration"на яку і натискаємо.



8. У наступному вікні можна змінити установки конфігурації модулів оперативної пам'яті, встановлених у ПК. Наприклад, включити або вимкнути контроль та корекцію помилок (ECC) RAM, визначити режим чергування банків оперативної пам'яті тощо.



9. Закінчивши налаштування, зберігаємо внесені зміни, залишаємо BIOS та завантаживши систему, перевіряємо роботу RAM у будь-якому спеціалізованому тесті. Робимо висновки, виправляємо помилки повторним регулюванням параметрів.

Як ви побачили, налаштування оперативної пам'яті в БІОС цілком можливе для досвідченого користувача. У принципі, у разі ваших некоректних дій на цьому напрямку комп'ютер просто не ввімкнеться або прошивка сама скине помилкові значення. Але обережність та почуття міри не завадить. І пам'ятайте, що зношування модулів RAM при збільшених показниках відповідно прискорюється.